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半導體芯片檢測的“透視眼”
日期：2025-12-15 09:25
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摘要：
近紅外一般定義為700-1600nm波長范圍內的光線，由于硅傳感器的上限約為1100nm，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見光難以或無法實施的應用可通過近紅外成像完成。當使用近紅外成像時，水蒸氣、霧和硅等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測被應用于半導體行業的各個方面。
使用顯微鏡的近紅外（NIR）成像可透過厚度高達650微米的硅進行成像，成為檢測電子設備和半導體的一種強有力的方式。微電子設備的典型故障分析方案要求能透過硅對電路圖進行無損檢測，同時保持成品...
近紅外一般定義為700-1600nm波長范圍內的光線，由于硅傳感器的上限約為1100nm，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見光難以或無法實施的應用可通過近紅外成像完成。當使用近紅外成像時，水蒸氣、霧和硅等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測被應用于半導體行業的各個方面。
使用顯微鏡的近紅外（NIR）成像可透過厚度高達650微米的硅進行成像，成為檢測電子設備和半導體的一種強有力的方式。微電子設備的典型故障分析方案要求能透過硅對電路圖進行無損檢測，同時保持成品的機械整合性。
使用近紅外成像的典型電子設備檢測包括：
· 產品內部的短路檢測（如燒蝕標記、壓力指標）
· 鍵合對準（分析薄鍵合電路之間的對齊標記和粘結晶圓的對齊）
· 電氣測試后的檢測（任何類型的故障）
· 芯片損壞評估（如原料缺陷、污染）
· 微電子機械系統（MEMS）檢測，如粘結晶圓內的設備結構、孔洞和缺陷探測以及實時機械移動狀態成像